Microchip - MSC025SMA120J

SiC 现货:采用 SOT-227 封装的 1200V、25mΩ SiC MOSFET - 可提供样品
SiC 现货:采用 SOT-227 封装的 1200V、25mΩ SiC MOSFET - 可提供样品

SiC 现货:采用 SOT-227 封装的 1200V、25mΩ SiC MOSFET - 可提供样品

与传统的硅(Si)功率 MOSFET 相比,Microchip Technology 的碳化硅(SiC)MOSFET 具有卓越的动态和热性能。这些 MOSFET 具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度和良好的雪崩坚固性。

  • 低电容和低栅极电荷
  • 栅极内阻 (ESR) 低,开关速度快
  • 在高结温下稳定运行,TJ(最大)= +175C
  • 快速可靠的体二极管
  • 卓越的雪崩坚固性
  • 符合 RoHS 规范
  • 隔离电压至 2500V
  • 效率高,使系统更轻便/紧凑
  • 驾驶简单,易于并行
  • 散热能力更强,开关损耗更低
  • 无需外部续流二极管
  • 降低系统拥有成本
  • 光伏逆变器、变流器和工业电机驱动器
  • 智能电网输配电
  • 感应加热和焊接
  • H/EV 动力系统和电动汽车充电器
  • 供电和配电

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能源与动力设计支持

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关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。