- Numero di parte di Mfg: C3M0032120D
Wolfspeed estende la sua leadership nella tecnologia SiC introducendo la famiglia di MOSFET di potenza a 1200 V più affidabile e performante del settore. Basato sulla tecnologia MOSFET planare di terza generazione, il prodotto include un robusto diodo di corpo intrinseco che consente il funzionamento nel terzo quadrante senza la necessità di un ulteriore diodo esterno. La nuova famiglia comprende la più bassa Rds(on) a 1200 V in un pacchetto discreto con una Rds(on) piatta sulla temperatura. Wolfspeed ha progettato i MOSFET di terza generazione con un maggiore rapporto CGS/CGD per migliorare le prestazioni di commutazione dura. Anche le applicazioni soft-switching possono beneficiare di un comportamento COSS più lineare. I progettisti possono ridurre il numero di componenti passando da topologie a tre livelli basate sul silicio a topologie più semplici a due livelli, rese possibili dalle migliori prestazioni di commutazione.
- Caratteristiche
- MOSFET planare di terza generazione, affidabile e collaudato, con robusto body diode intrinseco (non è necessario un diodo esterno)
- Minimo 1200V Vbr in tutto l'intervallo di temperatura operativa [-40C - 175C].
- Facile da implementare - MOSFET completamente acceso con pilotaggio del gate a +15 V
- Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
- Alta tensione di blocco con bassa RDS(on)
- Diodo intrinseco veloce con basso recupero inverso (Qrr)
- Facile da mettere in parallelo e semplice da guidare
- Applicazioni
- Sistemi di energia solare
- Ricarica EV
- Gruppo di continuità (UPS)
- SMPS
- Controllo motore e azionamenti
- Accumulo di energia
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