Ridefinizione delle prestazioni e della durata nelle applicazioni ad alta potenza

Progettato per migliorare in modo completo l'efficienza del sistema
RFPD
MOSFET Wolfspeed Gen 4: prestazioni reali con efficienza di nuova generazione

MOSFET Wolfspeed Gen 4: prestazioni reali con efficienza di nuova generazione

Wolfspeed ha presentato la sua piattaforma tecnologica Gen 4, progettata per offrire prestazioni, durata ed efficienza rivoluzionarie per applicazioni ad alta potenza.

Progettato per semplificare il comportamento di commutazione e ridurre la complessità di progettazione, Gen 4 supporta un'ampia gamma di prodotti, tra cui moduli di potenza, componenti discreti e die nudi, disponibili nelle classi 750 V, 1200 V e 2300 V.

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Perché Industrial 1200V GEN 4?  da Wolfspeed

Wolfspeed offre una nuova famiglia di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 1200 V ottimizzati per l'uso in applicazioni ad alta potenza quali sistemi solari e di accumulo di energia, ricarica di veicoli elettrici, gruppi di continuità (UPS), azionamenti motorizzati, alimentatori a commutazione, convertitori CC/CC ad alta tensione e altro ancora. Basati su una nuova generazione di tecnologia, i MOSFET SiC da 1200 V di Wolfspeed includono una gamma di opzioni di resistenza allo stato attivo che consentono ai progettisti di selezionare il componente più adatto alle loro applicazioni. 

Prestazioni di commutazione migliorate

Riduzione delle perdite, maggiore efficienza, frequenze di commutazione più elevate, componenti passivi più piccoli

Robustezza e affidabilità

Basato sulla comprovata leadership pluridecennale di Wolfspeed nel settore SiC, affidabilità sul campo a lungo termine

Un portafoglio - Tutti i mercati

Costruito su 200 mm, ampio intervallo di tensione da 650 V a 3300 V+

Compatibilità

Capacità di accensione15-18 VGS e spegnimento 0 V…-5 V

Prestazioni termiche

Funzionamento più fresco, requisiti di raffreddamento ridotti, maggiore durata

Maggiore densità di potenza

Sistemi più leggeri e compatti

Industriale 1200 V GEN 4  Alternative per dispositivi GEN 3

I MOSFET da 1200 V sono progettati perun RDS(ON) ultra basso e un rapportoCGS/CGD aumentato per migliorare le prestazioni di commutazione hard con minori perdite di accensione possibili all'interno dell'area di funzionamento sicura. Anche le applicazioni di commutazione soft possono trarre vantaggio dal comportamentoCOSS più lineare. L'efficienza ottenuta passando da una soluzione basata sul silicio al carburo di silicio può contribuire a ridurre le dimensioni, il peso, la complessità di progettazione e i costi del sistema nella maggior parte delle applicazioni ad alta potenza.
J TO-263-7
J TO-263-7
J TO-263-7
Numero di parte
RDS (attivo)(25 °C)
D
TO-247-3
K
TO-247-4
K1
TO-247-4 (LP)
J
TO-263-7
J1
TO-263-7XL
J2
TO-263-7XL
U2
TSC
C3M0016120x
16mΩ
N/D
C4MS018120K*
C4MS018120K1*
C4MS018120J2*
C4MS018120U2*
C3M0021120x
21mΩ
N/D
C4MS025120K
C4MS025120K1
C4MS025120J2
C4MS025120U2
C3M0032120x
32mΩ
N/D
C4MS036120K
C4MS036120K1
C4MS036120J2
C4MS036120U2
C3M0040120x
40mΩ
N/D
C4MS047120K
C4MS047120K1
C4MS047120J2
C4MS047120U2
C3M0075120x
75mΩ
N/D
C4MS065120K
C4MS065120K1
C4MS065120J2
C4MS065120U2
C4MS080120K*
C4MS080120K1*
C4MS080120J2*
C4MS080120U2*

*Questi dispositivi saranno rilasciati entro la prima metà dell'anno fiscale 2026
Nota: queste raccomandazioni possono variare in base alle specifiche topologie applicative e ai profili di missione.

Tecnologia GeN 4 Risorse aggiuntive

Tecnologia al carburo di silicio di quarta generazione:

Prestazioni e durata nelle applicazioni ad alta potenza

Questo libro bianco illustra la tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) di quarta generazione di Wolfspeed, progettata per applicazioni elettroniche ad alta potenza. Forte di una tradizione di innovazione SiC, Wolfspeed ha regolarmente presentato soluzioni tecnologiche all'avanguardia che ridefiniscono i parametri di riferimento del settore. Prima della versione Gen 4, i MOSFET SiC di terza generazione hanno bilanciato importanti elementi di progettazione per un ampio spettro di casi d'uso, stabilendo un punto di riferimento per le prestazioni complete nelle applicazioni di commutazione dura.
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Il nostro team di ingegneri applicativi globali è disponibile a rispondere alle vostre domande per garantire che il progetto del vostro sistema di conversione di potenza o di accumulo di energia soddisfi le vostre aspettative di prestazioni. Se state passando dal silicio al nitruro di gallio (GaN) o al carburo di silicio (SiC), vi aiuteremo a individuare il dispositivo di commutazione più adatto per ottenere la densità di potenza e l'aumento dell'efficienza richieste dalla vostra applicazione.
 
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