Wolfspeed - C3M0015065K

MOSFET in carburo di silicio da 650 V, 15 mΩ in contenitore TO-247 a 4 conduttori
SiC In magazzino: Wolfspeed 650V, 15mΩ MOSFET in carburo di silicio

SiC In magazzino: Wolfspeed 650V, 15mΩ MOSFET in carburo di silicio

Le resistenze on-state e le perdite di commutazione più basse del settore per la massima efficienza e densità di potenza

Wolfspeed estende la sua leadership nella tecnologia SiC con l'introduzione dei MOSFET di terza generazione da 650V, che consentono una conversione di potenza più piccola, più leggera e più efficiente in una gamma ancora più ampia di sistemi di potenza. La famiglia di prodotti MOSFET da 650V è ideale per applicazioni quali alimentatori industriali ad alte prestazioni, alimentazione di server/telecomunicazioni, sistemi di ricarica di veicoli elettrici, sistemi di accumulo di energia, gruppi di continuità e sistemi di gestione delle batterie.

  • Tensione di blocco: 650 V
  • RDS(ON) a 25° C: 15 mΩ
  • Generazione: Gen 3
  • Valutazione della corrente: 91 A
  • Carica totale del gate: 188 nC
  • Capacità di uscita: 289 pF
  • Potenza totale dissipata (PTOT): 416 W
  • Temperatura massima di giunzione: 175 °C
  • Pacchetto: TO-247-4

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Il nostro team di ingegneri applicativi globali è disponibile a rispondere alle vostre domande per garantire che il progetto del vostro sistema di conversione di potenza o di accumulo di energia soddisfi le vostre aspettative di prestazioni. Se state passando dal silicio al nitruro di gallio (GaN) o al carburo di silicio (SiC), vi aiuteremo a individuare il dispositivo di commutazione più adatto per ottenere la densità di potenza e l'aumento dell'efficienza richieste dalla vostra applicazione.