Ottimizzazione delle prestazioni dei MOSFET GaN

Ottimizzazione delle prestazioni dei MOSFET GaN

13 gennaio 2025

Nitruro di gallio

In questa Tech Chat, i rappresentanti di Richardson RFPD e di Exeling s.r.l. esaminano una scheda di valutazione a mezzo ponte GaN sviluppata congiuntamente dalle due aziende. Utilizzando componenti chiave di Innoscience (700V, 190mOhm GaN FET), Skyworks (gate driver isolato) e RECOM (convertitore DC-DC), la discussione si concentra sulla comprensione delle parassitiche del loop del gate drive e sulle tecniche per mitigarle. Il ruolo della polarizzazione negativa e i vantaggi delle connessioni di sorgente Kelvin sono due tecniche chiave di mitigazione esaminate.

Partecipanti:

Michele Sclocchi Field
Applications Engineer, Energy & Power
Richardson RFPD

 

Luca De Guglielmo
Hardware Engineer, Co-Founder & CTO
Exelikng s.r.l.

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