Questa chiacchierata tecnica si concentra su alcune caratteristiche uniche del pilotaggio dei FET di potenza al nitruro di gallio (GaN). In particolare, vengono esaminati i parametri più critici per la scelta di un driver isolato per i transistor di potenza GaN, il motivo per cui il tempo morto ridotto è particolarmente importante nelle applicazioni di commutazione GaN e se i driver possono funzionare a frequenze di commutazione superiori a 500 kHz.
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