Guida del progettista alla potenza del carburo di silicio

Con la maturazione del carburo di silicio come tecnologia e la sua adozione in innumerevoli progetti di conversione di potenza, sorgono ancora domande relative alla massimizzazione delle sue prestazioni. Questo libro bianco offre risposte a domande comuni associate a considerazioni sulla progettazione del SiC, quali:

• Perché il SiC aggiunge così tanto valore ai sistemi?
• Il SiC è affidabile come il silicio? Sono testati allo stesso modo?
• Come si fa a rendere robusto il progetto per le termiche, le EMI e la protezione dai cortocircuiti?
• Come si selezionano i gate driver per una conversione e un controllo di potenza ottimali?
• Perché la frequenza di commutazione è limitata a 65 kHz nel vostro progetto di riferimento a totem, anche utilizzando SiC rispetto a Si?
• Come ottimizzare il sistema per ottenere una migliore efficienza, la massima densità di potenza e il minor costo del sistema?
• Come scegliere il MOSFET SiC giusto? Le schede tecniche/parametri e modelli sono gli stessi del silicio?
• Qual è la temperatura massima a cui posso far funzionare un MOSFET SiC senza avere problemi di affidabilità?
• Come posso calcolare le perdite per conduzione in funzione della temperatura?
• Come si ottimizza la frequenza di commutazione?

Questo documento affronta l'attuale panorama del SiC e i suoi vantaggi, la progettazione con perdite, la frequenza di commutazione, gli effetti e le considerazioni sulle induttanze, il pilotaggio del gate, il rumore e le applicazioni abilitate dal SiC.