Metodi di caratterizzazione e misurazione dinamica per i MOSFET SiC

Metodi di caratterizzazione e misurazione dinamica per i MOSFET SiC

20 gennaio 2022

Carburo di silicio

Grazie a tensioni nominali più elevate, temperature di esercizio più basse, capacità di correnti più elevate e migliori caratteristiche di recupero, il carburo di silicio (SiC) ha permesso a diverse applicazioni di massimizzare l'efficienza e la densità di potenza mantenendo i costi al minimo; tuttavia, è importante caratterizzare completamente questi componenti e le loro prestazioni per trarre il massimo vantaggio dalla tecnologia SiC.

Scaricate questo white paper per scoprire come il sistema di test CIL (clamped inductive load) per MOSFET SiC di Wolfspeed può aiutarvi a modellare accuratamente il vostro progetto e a sfruttare appieno i vantaggi del SiC.

Libro bianco - MOSFET SiC di Wolfspeed
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