L'uso dei MOSFET al carburo di silicio (SiC) ha permesso di ottenere un'erogazione di potenza ad alta efficienza per una serie di applicazioni, come la ricarica rapida dei veicoli elettrici, gli alimentatori, le energie rinnovabili e le infrastrutture di rete. Sebbene le loro prestazioni siano migliori rispetto ai tradizionali MOSFET al silicio e ai transistor bipolari a porta isolata (IGBT), i metodi di pilotaggio sono alquanto diversi e devono essere attentamente considerati durante il processo di progettazione.
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