10 luglio 2023 - GENOVA, Ill.: Richardson RFPD, Inc., una società di Arrow Electronics, ha annunciato oggi la disponibilità e le funzionalità di supporto alla progettazione per un nuovo progetto di riferimento di NXP Semiconductors.
L'A3G26D055N-100 è un progetto di riferimento ordinabile per l'A3G26D055NT4 di NXP, un HEMT GaN discreto di potenza RF da 100 a 2690 MHz alloggiato in un contenitore plastico sovrastampato DFN da 7 mm x 6,5 mm. Ha un'uscita ineguagliabile che consente di utilizzare un'ampia gamma di frequenze. Il transistor è progettato per le applicazioni delle stazioni base cellulari che richiedono un'ampia larghezza di banda istantanea.
Il circuito A3G26D055N-100 ottimizza il dispositivo da 100 a 2500 MHz, con 12 W CW e 11 dB di guadagno utilizzando metà del dispositivo. Il circuito compatto (7 cm x 5 cm) può essere ordinato presso Richardson RFPD e le informazioni sul circuito possono essere concesse in licenza da NXP.
Prestazioni tipiche:
Frequenza (MHz) | Pout | Guadagno | IRL | Efficienza di scarico | ID |
100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vdc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vdc), Pin = 1 W, CW
Per ulteriori informazioni o per acquistare questo prodotto oggi stesso online, visitate la pagina web di NXP A3G26D055N-100. Il prodotto è disponibile anche chiamando il numero 1-800-737-6937 (in Nord America) o trovando un tecnico di vendita locale (in tutto il mondo) all'indirizzo Local Sales Support. Per conoscere altri prodotti di NXP, visitate la pagina web del negozio NXP.
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Direttore del marketing strategico
P: 630 262 6800
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