9 ottobre 2019 - Ginevra, III..:

Richardson RFPD, Inc. ha annunciato oggi la disponibilità e il supporto completo alla progettazione di una nuova famiglia di MOSFET di potenza SiC da 1200 V di Wolfspeed, una società di Cree.

Basati sulla tecnologia MOSFET planare di terza generazione, i nuovi dispositivi includono un robusto diodo di corpo intrinseco che consente il funzionamento in terzo quadrante senza la necessità di un diodo esterno aggiuntivo. Secondo Wolfspeed, la nuova famiglia di prodotti include la più bassa Rds_(on) a 1200 V in un pacchetto discreto con una Rds_(on) piatta sulla temperatura.

Wolfspeed ha progettato questi MOSFET di terza generazione con un rapporto CGS/CGD aumentato per migliorare le prestazioni di commutazione dura. Anche le applicazioni di commutazione morbida possono trarre vantaggio da un comportamento COSS più lineare. I progettisti possono ridurre il numero di componenti passando da topologie a tre livelli basate sul silicio a topologie più semplici a due livelli, rese possibili dalle migliori prestazioni di commutazione.

I nuovi dispositivi sono adatti a una serie di applicazioni, tra cui i sistemi a energia solare, la ricarica dei veicoli elettrici, i gruppi di continuità (UPS), gli SMPS, il controllo e gli azionamenti dei motori e l'accumulo di energia.

Altre caratteristiche chiave dei MOSFET di potenza SiC da 1200 V includono: