DOWNERS GROVE, Illinois (25 febbraio 2026) – Richardson RFPD, Inc., una società di Arrow Electronics, ha annunciato l'ampliamento della disponibilità della piattaforma MOSFET in carburo di silicio (SiC) Gen 4 di Wolfspeed, progettata per garantire efficienza, comportamento di commutazione semplificato e affidabilità a lungo termine per le applicazioni ad alta potenza più esigenti di oggi.
La tecnologia Gen 4 di Wolfspeed è progettata per migliorare le prestazioni a livello di sistema riducendo al contempo la complessità di progettazione. Con dispositivi disponibili nelle classi 750 V, 1200 V e 2300 V, il portafoglio supporta moduli di potenza, componenti discreti e formati bare die, offrendo agli ingegneri un'ampia flessibilità nei mercati dell'industria, delle energie rinnovabili, della ricarica dei veicoli elettrici, degli UPS e della conversione ad alta tensione.
Maggiore efficienza e design semplificato
I MOSFET di quarta generazione garantiscono perdite di commutazione ridotte e supportano frequenze di commutazione più elevate, consentendo l'utilizzo di componenti passivi più piccoli e una maggiore densità di potenza. Le loro caratteristiche di conduzione ottimizzate riducono le perdite su tutta la gamma di carico, un fattore fondamentale per gli inverter di trazione dei veicoli elettrici, i motori industriali e i sistemi di alimentazione dei data center AI.
Affidabilità comprovata e prestazioni termiche migliorate
Basati sulla tecnologia SiC leader del settore di Wolfspeed, i dispositivi Gen 4 offrono una maggiore robustezza e un funzionamento più fresco. La loro compatibilità con condizioni di accensione da 15-18 V e spegnimento da 0 V a -5 V aiuta a garantire una facile integrazione nelle architetture ad alta potenza esistenti, mentre le metriche migliorate dell'area operativa sicura supportano ambienti più difficili e cicli di vita dei sistemi più lunghi.
Ottimizzato per applicazioni reali ad alta potenza
La famiglia di MOSFET SiC da 1200 V di Wolfspeed offre diverse opzioni di resistenza allo stato attivo per aiutare i progettisti a bilanciare costi, prestazioni ed efficienza. Le applicazioni a commutazione rapida beneficiano di minori perdite di accensione e di una migliore linearità Coss, mentre le topologie a commutazione lenta ottengono un comportamento più fluido e una riduzione delle interferenze elettromagnetiche.
Numero di parte | D | K | K1 | J | J1 | J2 | U2 |
TO-247- 3 | TO-247-4 | TO-247-4 (LP) | TO-263-7 | TO-263-7XL | TO-263-7XL | TSC | |
C3M0016120x | N/D | C4MS018120K* | C4MS018120K1* | C4MS018120J2* | C4MS018120U2* | ||
N/D | |||||||
N/D | |||||||
N/D | |||||||
N/D | |||||||
C4MS080120K* | C4MS080120K1* | C4MS080120J2* | C4MS080120U2* | ||||
Per ulteriori informazioni sui MOSFET Wolfspeed Gen 4, comprese le alternative ai prodotti Gen 3, o per richiedere un campione, visitare il sito web Richardson RFPD.
PER I DETTAGLI CONTATTARE
OMARA AZIZ
Marketing fornitori – Energia e potenza
Tel.: 630 262 6800
omara.aziz@richardsonrfpd.com