L'obiettivo di questa nota applicativa è quello di fornire agli utenti dei dispositivi Cree ad ampio bandgap una linea guida sulle prestazioni termiche dei transistor SiC MESFET e GaN HEMT ad alta potenza. Essa illustra la metodologia utilizzata da Cree per determinare i valori di resistenza termica indicati nelle schede tecniche. Come per tutti i dispositivi a semiconduttore, l'affidabilità dei dispositivi SiC MESFET e GaN HEMT dipende direttamente dalla temperatura massima del canale operativo. È quindi importante determinare, con un elevato grado di affidabilità, quale sia la temperatura massima del canale in specifiche modalità operative, in particolare per i prodotti che operano in CW e dissipano grandi quantità di energia termica.