Quando si introducono gli amplificatori in un qualsiasi tutorial di base, la discussione spesso presuppone l'uso di transistor ideali. I due articoli precedenti di questa serie sui fondamenti degli amplificatori di potenza RF (PA) hanno fatto tali ipotesi sia per classificare gli amplificatori in base al gate bias sia per calcolare le loro migliori efficienze. Se queste ipotesi dovessero essere alla base della scelta della modalità di funzionamento dell'amplificatore o della polarizzazione del gate, gli ingegneri si troverebbero di fronte a una sorpresa rispetto ai progetti reali.
La terza e ultima parte di questa serie prende in considerazione le forme d'onda del mondo reale e il comportamento dei transistor, rivisitando il biasing dei gate e l'efficienza.
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