GaN su SiC per amplificatori di potenza cellulari multistandard

Da MACOM
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MACOM GaN su SiC per amplificatori di potenza cellulari multistandard

MACOM GaN su SiC per amplificatori di potenza cellulari multistandard

MACOM offre un'ampia gamma di transistor di potenza GaN on SiC da utilizzare nella progettazione di trasmettitori cellulari che supportano tutti gli standard e le bande di frequenza globali. La gamma comprende il WS1A3940-V1 (modulo amplificatore di potenza GaN on SiC 3700-3980 MHz, 39,5 dBm) e il WSGPA01-V1 (amplificatore di potenza generico GaN on SiC da 10 W, 5 GHz).

WS1A3940-V1

3700-3980 MHz, 39,5 dBm Modulo amplificatore di potenza GaN su SiC

Il WS1A3940 è un modulo amplificatore di potenza Doherty asimmetrico (PAM) che integra transistor MACOM GaN su SiC HEMT con reti di accoppiamento e biasing avanzate su un substrato laminato multistrato con tecnologia di dissipazione del calore avanzata. Il PAM è stato progettato per funzionare da 3700 MHz a 3980 MHz, con tensioni di alimentazione fino a 50 V, a livelli di potenza media in uscita da 8 a 10 W con fattore di cresta ridotto e segnali LTE e 5G NR pre-distorti digitalmente con larghezze di banda istantanee di 200 MHz o più. È alloggiato in un package LGA (Land Grid Array) da 6 mm X 6 mm.

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  • Tipo di confezione: Plastica

WSGPA01-V1

Amplificatore di potenza generico GaN su SiC da 10 W, 5 GHz

Il WSGPA01 è il driver PA consigliato per lo stadio finale del WS1A3940. Si tratta di un amplificatore discreto per uso generale (GPA) in GaN su SiC progettato per applicazioni fino a 5 GHz. Il dispositivo funziona con tensioni di alimentazione fino a 50 V e può raggiungere un P3dB di 10 W. È alloggiato in un contenitore DFN da 3 mm X 4 mm. Sebbene sia stato progettato per applicazioni di infrastrutture di comunicazione con segnali LTE o 5G NR a fattore di cresta ridotto e pre-distorti digitalmente, può essere adatto ad altre applicazioni a frequenze fino a 5 GHz, limitate solo dalle sue condizioni operative massime.
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