Gli amplificatori di potenza, gli LNA, i prescaler e i prodotti di controllo Microchip offrono prestazioni superiori con guadagno elevato, alta linearità, buona efficienza e basso rumore. Molti prodotti RF a banda larga Microchip offrono una pendenza di guadagno positiva, che agisce come un correttore di linearità per aiutare a superare le perdite di segnale del sistema. Ciò consente di ottenere gamme più lunghe e di offrire una maggiore larghezza di banda.
Amplificatori di potenza RF lineari e ad alta efficienza
Microchip ha una comprovata esperienza nella fornitura di soluzioni di amplificatori di potenza RF per molte frequenze e livelli di potenza.Le tecnologie e i prodotti Microchip per gli amplificatori di potenza RF supportano frequenze fino a 31 GHz, migliorano il SWaP (dimensioni, peso e potenza), sono altamente efficienti e offrono una forte linearità. Questi PA supportano i requisiti di sistema più esigenti per le applicazioni mobili, le infrastrutture commerciali e una varietà di sistemi militari e spaziali, oltre a integrare un'ampia gamma di altre soluzioni.
Numero di parte | Tecnologia | Frequenza minima (MHz) | Frequenza massima (MHz) | Guadagno (dB) | Potenza aggiunta Efficienza (%) | Tensione di alimentazione (VCC) | Psat (W) | Tipo di confezione | ICP1040-1-350I |  GaN su SiC | 7900 | 11000 | 22 | 40 | 28 | 12 | Plastica SMT |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ICP1044-1-350I | 7900 | 11000 | 22 | 35 | 28 | 25 | Plastica SMT | |
ICP1240-1-110I | 6000 | 18000 | 23 | 22 | 20 | 10 | Morire | |
ICP1240-1-451I | 6000 | 18000 | 23 | 22 | 24 | 10 | Flangiato in ceramica | |
ICP1543-1-110I | 12000 | 18000 | 22 | 30 | 24 | 20 | Morire | |
ICP2637P-1-351I | 23000 | 31000 | 23 | 25 | 28 | 5 | Plastica SMT | |
ICP2840-1-110I | 27500 | 31000 | 22 | 22 | 24 | 9 | Morire |
CI amplificatori di potenza MMIC GaAs
Il portafoglio di prodottiIC per amplificatori di potenza MMIC in GaAs di Microchip è destinato a una varietà di applicazioni, tra cui strumentazione, guerra elettronica, radar e comunicazioni a microonde. Questo portafoglio comprende una potenza a banda larga che va da DC a 70 GHz ed èbasato su tecnologie di processo ad alte prestazioni. Microchip offre molti prodotti di amplificazione distribuita, tra cui MMIC leader del settore che offrono caratteristiche di alta efficienza, linearità e rumore di fase.
Numero di parte | Tecnologia | Frequenza minima (MHz) | Frequenza massima (MHz) | Guadagno (dB) | Piattezza del guadagno (dB) | Tensione di alimentazione (VCC) | P1dB (dBm) | Psat (W) | Pavg (W) | Tipo di confezione | MMA052PP45 |  GaAs | 0 | 24000 | 13.5 | 0.7 | 10 | 26.5 | 0.794 | QFN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMA053PP5 | 0 | 10000 | 17 | 1 | 10 | 29 | QFN | |||
MMA051PP45 | 0 | 22000 | 14 | 0.5 | 10 | 30 | 1 | QFN | ||
MMA155PP5 | 0 | 16000 | 15 | 0.5 | 14 | 31.5 | 2 | QFN |
Circuiti integrati di amplificazione a basso rumore MMIC GaAs
Il portafoglio di amplificatori a basso rumore di Microchip si estende fino a 30 GHz e offre le migliori prestazioni di rumore e linearità della categoria. Con diverse configurazioni di prodotto che vanno dalle soluzioni die alle confezioni a montaggio superficiale e ai QFN, gli amplificatori RF di Microchip includono anche caratteristiche critiche come le topologie auto-biased, gli I/O RF accoppiati internamente a 50 ohm e la correzione positiva della pendenza del guadagno. In genere, si tratta di componenti ad alte prestazioni progettati per essere utilizzati in line-up di ricevitori o trasmettitori. Il portafoglio di amplificatori MMIC a basso rumore di Microchip è destinato a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui test e misurazioni, 5G, guerra elettronica, radar e SATCOM.
Numero di parte | Tecnologia | Frequenza minima (MHz) | Frequenza massima (MHz) | Guadagno (dB) | Piattezza del guadagno (dB) | Figura di rumore (dB) | P1dB (dBm) | Uscita IP3 (dBm) | Tensione di alimentazione (VCC) | Corrente (Id) | Tipo di confezione | MMA041PP5 | GaAs | 0 | 25000 | 17 | 0.5 | 2.5 | 19 | 36 | 7 | 150 | QFN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMA047PP4 | 5000 | 14000 | 21 | 0.5 | 1.5 | 21 | 34 | 7 | 170 | QFN | |
MMA042PP4/TR | 2000 | 26000 | 18 | 0.75 | 3.5 | 15 | 26 | 6 | 120 | QFN |
MMIC divisore di frequenza / prescaler IC
Il portafoglio di prescaler MMIC di Microchip è destinato a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui guerra elettronica, radar, strumentazione e comunicazioni a microonde. I dispositivi prescaler di Microchip combinano il funzionamento ad alta frequenza fino a 40 GHz, la flessibilità di dividere per molti rapporti e un basso rumore di fase SSB additivo, che si combinano per ottenere eccellenti prestazioni di rumore di sistema. Inoltre, Microchip offre ingressi e uscite single-ended per ridurre il numero e il costo dei componenti.
Rivelatore di frequenza di fase
Il PFD1K di Microchip può essere utilizzato come rilevatore di frequenza di fase per uso generale con prescaler integrato. È ideale per le applicazioni PLL (phase locked loop). I prescaler possono essere programmati a una velocità superiore a 100 MHz, il che ne fa una scelta eccellente per i sintetizzatori di frequenza digitali a N frazionario.
Ulteriori Risorse
Transistor di potenza RF/microonde GaN HEMT
Microchip offre un ampio portafoglio di transistor di potenza RF GaN on SiC per soddisfare le complesse esigenze dei mercati dell'avionica, delle comunicazioni e dei radar.
Caratteristiche e vantaggi
Diodi RF e a microonde
L'offerta di Microchip comprende interruttori a diodi PIN a radiofrequenza e a microonde, limitatori, generatori di pettine, attenuatori, sfasatori e rilevatori, in gamme di frequenza fino a 40 GHz.
Diodi RF e a microonde
Microchip continua a sviluppare soluzioni a basso costo per PIN e limitatori a montaggio superficiale che offrono le prestazioni sofisticate associate ai costosi gruppi di chip e wire bonding.
Per saperne di più
Prodotti SAW
Microchip fornisce filtri SAW con funzionalità integrata di balun (conversione da bilanciato a single-ended) e soluzioni per diverse impedenze di terminazione sulle porte di ingresso e di uscita (ad esempio, da 50 Ω a 200 Ω).
