Dispositivi analogici

In questa Tech Chat viene illustrata l'immunità ai transitori in modalità commode in relazione ai driver di gate, nonché il CMTI minimo del driver di gate richiesto per i convertitori integrati con semiconduttori di potenza in nitruro di gallio (GaN) o carburo di silicio (SiC).
Supportati da rapporti di prova, combinano i driver di gate isolati ADI con i MOSFET e i diodi Schottky al carburo di silicio Wolfspeed.
L'ADPA7006CHIP è un amplificatore di potenza distribuito GaAs pHEMT MMIC che opera da 18 GHz a 44 GHz.
L'ADCA3992 è un amplificatore ibrido ad alto guadagno e raddoppio di potenza, ottimizzato per un'ampia gamma di condizioni di polarizzazione per garantire efficienza energetica e flessibilità al cliente.
Questo articolo descrive l'evoluzione del PHY remoto e il modo in cui Analog Devices ha risolto la sfida dell'efficienza e della linearità, utilizzando un DPD proprietario, con gli algoritmi e il core IP di ADI integrati nell'implementazione FPGA esistente dell'OEM.
ADRV9026BBCZ - Ricetrasmettitore ADI
L'ADRV9026, il ricetrasmettitore RF a banda larga di quarta generazione di ADI, offre un'integrazione a quattro canali con la soluzione di piattaforma comune a più bassa potenza e dimensioni ridotte disponibile sul mercato per semplificare la progettazione e ridurre la potenza del sistema.
La serie di webinar "Walk Around the Block" affronta le sfide progettuali e gli argomenti di tendenza relativi alle applicazioni dell'elettronica di potenza. In questa serie, ci concentreremo sulla ricarica rapida dei veicoli elettrici e metteremo in evidenza una serie di argomenti dei nostri fornitori.
ADMV4530 di Analog Devices è un upconverter altamente integrato con un mixer I/Q, ideale per le comunicazioni satellitari di prossima generazione in banda Ka.
ADRV9009-ZU11EG di Analog Devices è un RF-SOM altamente integrato e personalizzabile basato su due ADRV9009 sincronizzati e Xilinx Zynq UltraScale+ MPSoC.
Questa Tech Chat affronta i diversi livelli di pilotaggio del gate richiesti per ottenere prestazioni ottimali dalle tecnologie al silicio (Si), al nitruro di gallio (GaN) e al carburo di silicio (SiC).