- 製造部品番号MSC035SMA170S
マイクロセミの炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFET製品ラインは、高電圧アプリケーションの総所有コストを低減しながら、シリコンMOSFETやシリコンIGBTソリューションよりも性能を向上させます。
MSC035SMA170S」は、1700 V、35 mΩのSiC MOSFETです。
MSC035SMA170Sデバイスは、TO-268（D3PAK）パッケージの1700 V、35 mΩのSiC MOSFETです。
- 特徴
- 低容量と低ゲート電荷
- 低い内部ゲート抵抗（ESR）による高速スイッチング速度
- 高接合温度での安定動作、TJ(max) = 175 C
- 高速で信頼性の高いボディダイオード
- 優れた雪崩耐久性
- RoHS対応
- メリット
- より軽量でコンパクトなシステムを可能にする高効率
- 運転が簡単で、並列走行も容易
- 熱性能の向上とスイッチング損失の低減
- 外部フリーホイール・ダイオードの必要性を排除
- 低いシステム所有コスト
- アプリケーション
- PVインバータ、コンバータ、産業用モータドライブ
- スマートグリッドの送電と配電
- 誘導加熱と溶接
- H/EVパワートレインとEV充電器
- 電力供給と配電
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