- 製造部品番号MSC750SMA170B4
Microchip社の炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFET製品ラインは、高電圧アプリケーションの総所有コストを低減しながら、シリコンMOSFETやシリコンIGBTソリューションよりも性能を向上させます。MSC750SMA170B4デバイスは、ソースセンス付きTO-247パッケージの1700V、750mΩのSiC MOSFETです。
- 特徴
- 低容量と低ゲート電荷
- 低い内部ゲート抵抗（ESR）による高速スイッチング速度
- 高いジャンクション温度（TJ(max)=+175℃）での安定動作
- 高速で信頼性の高いボディダイオード
- 優れた雪崩耐久性
- RoHS対応
- メリット
- システムの軽量・コンパクト化を可能にする高効率性
- 運転が簡単で、並列走行も容易
- 熱性能の向上とスイッチング損失の低減
- 外付けフリーホイール・ダイオードの必要性を排除
- 低いシステム所有コスト
- アプリケーション
- PVインバータ、コンバータ、産業用モータドライブ
- スマートグリッド送電・配電
- 誘導加熱と溶接
- H/EVパワートレインとEV充電器
- 電力供給と配電
関連 コンテンツ
エネルギー貯蔵と電力変換
Microchip IGBT 7 パワーモジュール - 汎用アプリケーション向け高電圧、低損失ソリューション
マイクロチップ社の汎用IGBT 7パワーモジュールは、電流容量の増加、低損失、高効率を複数のパッケージオプションで提供します。
2025年2月20日
エネルギー貯蔵と電力変換
マイクロチップ社製1700 V補助電源リファレンス・デザイン
1.7 kVのSiC MOSFETは、広い入力電圧範囲を必要とする補助電源アプリケーションで単一スイッチ・フライバック・トポロジーを使用するための優れた選択肢である。
2023年11月30日
エネルギー貯蔵と電力変換
2023年7月19日
