- 製造部品番号C3M0025065J1
C3M0025065J1: 炭化ケイ素パワーMOSFET C3M™ MOSFET テクノロジー Nチャンネルエンハンスメントモード
- 特徴
- 第3世代SiC MOSFET技術
- ドライバー・ソース・ピンを分離した最適化パッケージ
- 低オン抵抗で高い阻止電圧
- 低容量で高速スイッチング
- 低逆回復(Qrr)の高速内蔵ダイオード
- ハロゲンフリー、RoHS対応
- メリット
- スイッチング損失の低減とゲートリンギングの最小化
- システム効率の向上
- 冷却条件の低減
- 電力密度の向上
- システムのスイッチング周波数を上げる
- アプリケーション
- データセンターおよびテレコム用電源装置
- EVバッテリー充電器
- 高電圧DC/DCコンバータ
- エネルギー貯蔵システム
- ソーラー・インバータ
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