リチャードソンRFPD、NXPのコンパクトなAirfast GaNリファレンス・デザインの提供開始を発表

リチャードソンRFPD、NXPのコンパクトなAirfast GaNリファレンス・デザインの提供開始を発表

A3G26D055N 55WピークGaNディスクリートトランジスタの注文可能なリファレンスデザイン

ニュースリリース

2001バターフィールド・ロード、スイート1800
イリノイ州ダウナーズグローブ60515

P: 630 262 6800

F: 630 262 6850

2023年7月10日 - イリノイ州ジェネバ:アロー・エレクトロニクス傘下のリチャードソンRFPD社は本日、NXPセミコンダクターズの新しいリファレンス・デザインが利用可能になり、完全な設計サポートが可能になったことを発表しました。

A3G26D055N-100は、DFN 7mm x 6.5mmのオーバーモールド・プラスチック・パッケージに収納された100-2690MHz、RFパワー・ディスクリートGaN HEMTであるNXPのA3G26D055NT4用の注文可能なリファレンス・デザインです。このトランジスタは、比類のない出力を持ち、広い周波数範囲での利用が可能です。このトランジスタは、広い瞬時帯域幅能力を必要とするセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

A3G26D055N-100 回路は、デバイスを 100-2500MHz に最適化し、デバイスの半分を利用することで 12W の CW と 11dB の利得を実現する。この小型回路(7cm×5cm)はリチャードソンRFPD社から注文可能で、回路情報はNXP社からライセンス可能である。

典型的なパフォーマンス:

周波数 (MHz)

パウト
(W)

ゲイン
(dB)

IRL
(dB)

ドレイン効率
(%)

ID
(A)

100

14.8

11.7

-2.5

85.7

0.540

1000

11.9

10.7

-7.9

64.4

0.580

2000

11.7

10.7

-5.2

54.8

0.670

2500

10.9

10.3

-4.9

52.9

0.640

VDD = 48 Vdc、IDQ = 45 mA(VGG = ~ -2.7 Vdc), ピン = 1 W, CW

本製品の詳細情報およびご購入については、NXP A3G26D055N-100Webページをご覧ください。また、この製品は、1-800-737-6937(北米内)にお電話いただくか、ローカル・セールス・サポートでお近くのセールス・エンジニアをお探しください(全世界)。NXPのその他の製品については、NXPストアフロントのウェブページをご覧ください。

詳細はこちらまで

MARK VITELLARO
戦略マーケティング・ディレクター
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com

NXP A3G26D055N-100