2023年7月10日 - イリノイ州ジェネバ:アロー・エレクトロニクス傘下のリチャードソンRFPD社は本日、NXPセミコンダクターズの新しいリファレンス・デザインが利用可能になり、完全な設計サポートが可能になったことを発表しました。
A3G26D055N-100は、DFN 7mm x 6.5mmのオーバーモールド・プラスチック・パッケージに収納された100-2690MHz、RFパワー・ディスクリートGaN HEMTであるNXPのA3G26D055NT4用の注文可能なリファレンス・デザインです。このトランジスタは、比類のない出力を持ち、広い周波数範囲での利用が可能です。このトランジスタは、広い瞬時帯域幅能力を必要とするセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。
A3G26D055N-100 回路は、デバイスを 100-2500MHz に最適化し、デバイスの半分を利用することで 12W の CW と 11dB の利得を実現する。この小型回路(7cm×5cm)はリチャードソンRFPD社から注文可能で、回路情報はNXP社からライセンス可能である。
典型的なパフォーマンス:
周波数 (MHz) | パウト | ゲイン | IRL | ドレイン効率 | ID |
100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vdc、IDQ = 45 mA(VGG = ~ -2.7 Vdc), ピン = 1 W, CW
本製品の詳細情報およびご購入については、NXP A3G26D055N-100Webページをご覧ください。また、この製品は、1-800-737-6937(北米内)にお電話いただくか、ローカル・セールス・サポートでお近くのセールス・エンジニアをお探しください(全世界)。NXPのその他の製品については、NXPストアフロントのウェブページをご覧ください。
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MARK VITELLARO
戦略マーケティング・ディレクター
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com