Diese Evaluierungsplatine demonstriert das Schalt- und Wärmeverhalten von 900-V-SiC-C3M™-MOSFETs in einem 7-poligen D2PAK (TO-263-7L) in einer Halbbrückentopologie. Die Platine ist für die Charakterisierung der EON- und EOFF-Verluste und der thermischen Leistung im eingeschwungenen Zustand von SiC-MOSFETs konzipiert. Die Platine enthält AlN-Einsätze unter den MOSFETs, um eine elektrische Isolierung und eine optimierte Wärmeübertragung an den Kühlkörper zu gewährleisten.
Dieses Design:
- Demonstration des Einsatzes einer AlN-Inlay-Leiterplatte für das Wärmemanagement von oberflächenmontierten Leistungsbauteilen
- Dient als PCB-Layoutbeispiel für die Ansteuerung von D2PAK SiC MOSFETs
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