- Mfg-Teilnummer: C3M0075120J
Der Wolfspeed C3M0075120J Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET reduziert Schaltverluste und minimiert das Gate-Ringing. Der C3M0075120J MOSFET bietet eine Einschaltverzögerungszeit von 17ns (td(on)), eine Drain-Source-Spannung von 1200VDS und eine Verlustleistung von 113,6W.
- Eigenschaften
- C3M™ SiC-MOSFET-Technologie
- Niederohmiges Gehäuse mit Treiber-Source-Pin
- 7 mm Kriechstrecke zwischen Drain und Source
- Hohe Sperrspannung bei geringem Durchlasswiderstand
- Hochgeschwindigkeitsschaltung mit geringen Kapazitäten
- Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
- Halogenfrei, RoHS-konform
- Vorteile
- Verringerung der Schaltverluste und Minimierung des Gate-Ringings
- Höhere Systemeffizienz
- Verringerung des Kühlbedarfs
- Erhöhung der Leistungsdichte
- Erhöhung der Schaltfrequenz des Systems
- Anwendungen
- Erneuerbare Energie
- EV-Batterieladegeräte
- Hochspannungs-DC/DC-Wandler
- Stromversorgungen im Schaltbetrieb
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