Die 650-V-GaN-on-Silicon-Leistungstransistoren im Enhancement-Mode von Innoscience sind für Hochspannungs-Leistungsanwendungen konzipiert. Das 8 x 8 Dual Flat No-Lead (DFN)-Gehäuse der unten vorgestellten Bauelemente sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und ein kompaktes Design, wodurch sie sich ideal für eine breite Palette von Anwendungen eignen.
Innoscience Innoscience entwirft, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und zuverlässige GaN-Bauelemente für eine breite Palette von Anwendungen und Spannungen (LV: 30V-150V und HV: 650V) und gewährleistet dank seiner Kapazitäten für große Stückzahlen, seiner 8-Zoll-Wafergröße und seiner fortschrittlichen Fertigungswerkzeuge mit hohem Durchsatz eine hervorragende Leistung, Zuverlässigkeit, Unterstützung, Liefersicherheit, große Kapazität und wettbewerbsfähige Preise.
Wesentliche Merkmale - 650-V-GaN-Leistungstransistoren im Enhancement-Mode
Vorteile
- Massenproduktion und wettbewerbsfähige Preise
- Hohe Schaltfrequenzen
- Null Rücklaufstrom
- Ron x Qg 1/10 von Si-MOSFETs
- Eingebetteter ESD-Schutz
- Spannungsspitzen bis zu 750 V bei RT und HT aushalten
- Zuverlässig
- Stift-zu-Stift kompatibel mit anderen
Anwendungen
- AC-DC-Wandler
- DC-DC-Wandler
- Totempfahl PFC
- Schnelles Aufladen der Batterie
- Energieumwandlung mit hoher Dichte
- Hocheffiziente Energieumwandlung
650-V-GaN-Leistungstransistoren im Enhancement-Mode im 8 x 8 DFN-Gehäuse
Teil Nummer | VDS,max | RDS(on),max | RDS(on),typ | Aktuell |
|---|---|---|---|---|
INN650D140A | 650 V | 140 mΩ | 106 mΩ | 17 A |
INN650D190A | 650 V | 190 mΩ | 138 mΩ | 11.5 A |
INN650D240A | 650 V | 240 mΩ | 165 mΩ | 10 A |
INN650D350A | 650 V | 350 mΩ | 270 mΩ | 6 A |
Zusätzliche Innoscience Ressourcen
