Microsemi SiC-Schottky-Dioden-Module

Von Microsemi | Microchip
700V & 1200V SiC-Diodenmodule von Microchip

700V & 1200V SiC-Diodenmodule von Microchip

Die SiC-Schottky-Diodenmodule von Microsemi bieten eine branchenführende Integration und ein hervorragendes Gehäuse. Verringern Sie die Systemgröße und das Gewicht und reduzieren Sie gleichzeitig die Gesamtsystemkosten.

  • Im Wesentlichen keine Vorwärts- und Rückwärtserholung = geringere Schalter- und Diodenschaltverluste
  • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten = stabile Hochtemperaturleistung
  • Positiver Temperaturkoeffizient von VF = einfacher Parallelbetrieb
  • Verwendbare Sperrschichttemperatur von 175oC = sicherer Betrieb bei höheren Temperaturen

Microsemi Ausgewählte Produkte

Teil Nummer
Konfiguration
VDS (V) VCE (V) VRRM (V)
Rds(on) (mW) VCEsat (V) VF (V)
Strom (A) Tc=80 C
Paket
MSCDC200H120AG
Vollständige Brücke
1200
1.5
200
SP6C
MSCDC50H1201AG
Vollständige Brücke
1200
1.5
50
SP1
MSCDC600A120AG
Phase Bein
1200
1.5
600
SP6C
MSCDC200A120D1PAG
Phase Bein
1200
1.5
200
D1P
MSCDC200KK120D1PAG
Gemeinsame Doppelkathode
1200
1.5
200
D1P
MSCDC50X1201AG
3-Phasen-Brücke
1200
1.5
50
SP1
MSCDC200H70AG
Vollständige Brücke
700
1.5
200
SP6C
MSCDC50H701AG
Vollständige Brücke
700
1.5
50
SP1
MSC50DC70HJ
Vollständige Brücke
700
1.5
50
SOT227
MSCDC600A70AG
Phase Bein
700
1.5
600
SP6C
MSCDC200A70D1PAG
Phase Bein
700
1.5
200
D1P
MSCDC200KK70D1PAG
Gemeinsame Doppelkathode
700
1.5
200
D1P
MSCDC50X701AG
3-Phasen-Brücke
700
1.5
50
SP1

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.