Vincotech - FY12B2A040MR

SiC auf Lager: 1200V, 35A Siliziumkarbid-Leistungsmodul, kompaktes und niedrig induktives Design mit integrierten Kondensatoren
flowBOOST 1 dual SiC von Vincotech

flowBOOST 1 dual SiC von Vincotech

Vincotechs 10-FY12B2A040MR-L387L68 zeichnet sich durch ultraschnelles Schalten mit SiC-MOSFET und SiC-Boost-Diode sowie durch ein kompaktes und induktionsarmes Design mit integrierten Kondensatoren aus.

  • Topologie: Booster
  • Kelvin-Emitter für verbesserte Schaltleistung
  • Doppelter Booster
  • Bypass-Diode
  • Integrierter DC-Kondensator
  • Temperatursensor
  • Chip-Technologie (Hauptschalter): SiC MOSFET
  • Schnelle Rückgewinnung
  • Hochgeschwindigkeits-SiC-MOSFET-Technologie
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Isolierung der Basis Al2O3
  • Konvex geformtes Substrat für hervorragenden Wärmekontakt
  • Thermomechanische Druck- und Zugkraftentlastung
  • Elektrische Zusammenschaltung: Lötstift
  • Solar
  • UPS

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Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.