Vincotech - 10-EY124PA016ME

1200V, 16mΩ SiC-Modul in kompakter, niederinduktiver Bauweise
RFPD
Vincotech - 10-EY124PA016ME

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  • Hersteller-Teilenummer: 10-EY124PA016ME-LP49F18T
SiC auf Lager: 1200V, 16mΩ SiC-Modul in kompakter, niederinduktiver Bauweise
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  • Eigenschaften
  • Kompakte und niederinduktive Bauweise
  • Hochfrequenz-SiC-MOSFET
  • Integrierter NTC
  • Kelvin-Emitter für verbesserte Schaltleistung
  • Offene Emitter-Konfiguration
  • Temperatursensor
  • Hohe Blockierspannung mit niedrigem Drain-Source-on-state-Widerstand
  • Hochgeschwindigkeits-SiC-MOSFET-Technologie
  • Widerstandsfähig gegen Latch-up
  • Konvex geformtes Substrat für hervorragenden Wärmekontakt
  • Kompakte Bauweise
  • CTI600 Gehäusematerial
  • Thermomechanische Druck- und Zugkraftentlastung
  • Zuverlässige Kaltschweißverbindung zum PCB
  • Keine Beschädigung der Leiterplattenlöcher für eine Wiederverwendung
  • Anwendungen
  • Ladestationen
  • Stromversorgung
  • Schweißen und Schneiden
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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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