700-V-SiC-MOSFETs der nächsten Generation

Von Microchip
RFPD
Microchip SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit 700 V

Microchip SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit 700 V

MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Leistungs-MOSFETs aus Silizium (Si).

  • Wichtigste Vorteile
  • Hoher Wirkungsgrad mit geringeren Schaltverlusten
  • Einfach zu fahren und leicht zu parallelisieren
  • Verbesserte thermische Eigenschaften bis 175 Grad Celsius Sperrschichttemperatur
  • Eliminiert die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode
  • Niedrigere Systemkosten (kleinere Magnete/Kühlkörper, weniger Komponenten, geringere Systemgröße)
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  • Wesentliche Merkmale
  • Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
  • Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode
  • Hervorragende Lawinenbeständigkeit
  • Wichtige Anwendungen
  • PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe
  • Intelligente Netzübertragung und -verteilung
  • Induktionserwärmung und Schweißen
  • Hybrid-Elektrofahrzeug (HEV)/Elektrofahrzeug (EV) Antriebsstrang und Aufladung
  • Energieversorgung und -verteilung

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Teil Nummer
Spannung
Aktuell
Rds(ein)
Paket Typ
Proben
MSC015SMA070B4
700
140
15
TO-247-4
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700
93
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700
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MSC035SMA070B
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52
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700
18
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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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