下一代 700V SiC MOSFET

来自 Microchip
Microchip 下一代 700V SiC MOSFET

Microchip 下一代 700V SiC MOSFET

与传统的硅(Si)功率 MOSFET 相比,碳化硅(SiC)MOSFET 具有更出色的动态和热性能。

  • 效率高,开关损耗低
  • 驾驶简单,易于并行
  • 散热能力提高到 175 摄氏度结温
  • 无需外部续流二极管
  • 降低系统成本(更小的磁性元件/散热片、更少的组件、更小的系统尺寸)
  • 低电容和低栅极电荷
  • 栅极内阻 (ESR) 低,开关速度快
  • 在 175 摄氏度高结温条件下稳定运行
  • 快速可靠的体二极管
  • 卓越的雪崩坚固性
  • 光伏逆变器、变流器和工业电机驱动器
  • 智能电网输配电
  • 感应加热和焊接
  • 混合动力电动汽车 (HEV) / 电动汽车 (EV) 动力系统和充电
  • 供电和配电

Microsemi 特色产品

部件编号
电压
当前
Rds(on)
包装类型
样品
MSC015SMA070B4
700
140
15
TO-247-4
索取样品
MSC015SMA070B
700
93
15
TO-247
索取样品
MSC015SMA070S
700
89
15
D3PAK
索取样品
MSC035SMA070B
700
52
35
TO-247
索取样品
MSC035SMA070S
700
46
35
D3PAK
索取样品
MSC060SMA070B4
700
39
60
TO-247-4
索取样品
MSC060SMA070B
700
28
60
TO-247
索取样品
MSC060SMA070S
700
26
60
D3PAK
索取样品
MSC090SMA070B
700
19
90
TO-247
索取样品
MSC090SMA070S
700
18
90
D3PAK
索取样品

能源与动力设计支持

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关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。