- Mfg-Teilnummer: GS-065-030-2-L-MR
Der GS-065-030-2-L ist das erste GaN-Produkt auf dem Markt, das es Entwicklern ermöglicht, die Vorteile von Low-Cost-GaN in Anwendungen bis zu einer Leistung von 3000 W zu nutzen. Dieses neue Bauteil ergänzt die GaN Systems-Familie von kostengünstigen GaN-Transistoren, die es Entwicklern ermöglicht, den nächsten Schritt in Richtung verbesserter Leistung in Bezug auf Effizienz, Wärmemanagement und Leistungsdichte mit erhöhter Designflexibilität und Kosteneffizienz zu gehen, um neue Anforderungen von Kunden aus den Bereichen Konsum, Industrie und Rechenzentren zu erfüllen.
- Eigenschaften
- 650-V-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
- Bodengekühltes, kleines 8 x 8 mm PDFN-Gehäuse
- RDS(on) = 50 mOhm
- IDS(max) = 30 A
- Einfache Gate-Ansteuerung Anforderungen (0 V bis 6 V)
- Transiententolerante Gate-Ansteuerung ( 20/+10 V)
- Sehr hohe Schaltfrequenz (> 10 MHz)
- Schnelle und kontrollierbare Abfall- und Anstiegszeiten
- Source Sense (SS) Pin für optimierte Gate-Ansteuerung
- Fähigkeit zur Rückwärtsleitung
- Kein Verlust bei der Rückgewinnung
- RoHS 3 (6+4) konform
- Anwendungen
- Brückenloser Totempfahl PFC
- Stromversorgungen für Verbraucher, Industrie und Rechenzentren mit hoher Dichte
- Hochleistungsadapter
- LED-Beleuchtungstreiber
- Antriebe für Haushaltsgeräte und Industriemotoren
- Solar-Wechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Laser-Treiber
- Drahtlose Energieübertragung
