Die R24C2T25 ist eine vielseitige Lösung für isolierte Gate-Bias-Spannungen, insbesondere für Transistoren wie IGBTs und Si- und SiC-MOSFETs. Dieser kompakte Wandler verfügt über programmierbare asymmetrische Ausgangsspannungen, die eine präzise Steuerung und Leistungsoptimierung für Leistungselektronik-Anwendungen gewährleisten.
R24C2T25 - Isolierter DC/DC-Wandler
Produkt | Vin (V) | Nr. der Ausgänge | Iout 1 (mA) | Iout 2 (mA) | Isolierung (kV) | R24C2T25-CT | 21.0 - 27.0
| Dual | 100.0
| -12.0
| Isoliert |
|---|
Mit einer hohen Isolierung von 3kVAC/1min und einer bemerkenswerten Stabilität selbst bei 125°C (0,5W) bietet er eine hervorragende Zuverlässigkeit. Die ultraniedrige Isolationskapazität von weniger als 3,5pF gewährleistet eine minimale Rauschausbreitung über die Isolationsbarriere. Alle diese außergewöhnlichen Eigenschaften sind in einem kompakten 7,5 x 12,83 mm SMD-Formfaktor untergebracht, was ihn zu einer idealen Wahl für alle Anforderungen an isolierte Gate-Vorspannungen macht.
R24C2T25 - Vorteile und Merkmale
Weltraum-Effizienz
SMT-DC/DC-Wandler sind in der Regel kleiner und ermöglichen ein kompakteres Design. Dies ist entscheidend für Anwendungen, bei denen der Platz auf der Platine begrenzt ist, wie z. B. bei tragbaren Geräten oder miniaturisierter Elektronik.
Hohe Leistungsdichte
Oberflächenmontierte Gehäuse tragen zu einer höheren Leistungsdichte auf der Leiterplatte bei und ermöglichen die Herstellung leistungsfähigerer Wandler auf einem gegebenen Raum.
Verbesserte thermische Leistung
Oberflächenmontierte Gehäuse tragen zu einer höheren Leistungsdichte auf der Leiterplatte bei und ermöglichen die Herstellung leistungsfähigerer Wandler auf einem gegebenen Raum.
Verbesserte Hochfrequenzleistung
Die SMT-Technologie reduziert Leitungslängen und parasitäre Effekte und trägt so zu einer verbesserten Hochfrequenzleistung des Wandlers bei. Dies ist von Vorteil für Anwendungen, bei denen schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Automatisierte Montage
Die Oberflächenmontagetechnologie unterstützt automatisierte Montageprozesse und macht die Produktion von DC/DC-Wandlern effizienter und kostengünstiger.
Reduzierte elektromagnetische Störungen (EMI)
SMT-Bauteile mit ihren kürzeren Leitungen und ihrem kompakten Layout können dazu beitragen, elektromagnetische Störungen zu minimieren und die elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) des Systems insgesamt zu verbessern.
Höhere Komponentendichte
MT-Gehäuse ermöglichen eine höhere Komponentendichte auf der Leiterplatte und damit die Integration zusätzlicher Merkmale oder Funktionen auf demselben Raum.
R24C2T25 - Isolierter DC/DC-Wandler
Die Isolierung des R24C2T25 beträgt 3kVAC/1min mit einer extrem niedrigen Kopplungskapazität von 3,5pF und einer Gleichtaktstörfestigkeit von +/-150kV/µs. Dadurch eignen sich die Bauteile ideal für die Stromversorgung von High-Side-Gate-Drives mit schnellen dV/dt- und dI/dt-Schaltflankenraten.
Der R24C2T25 verfügt über Softstart, Eingangsunter- und -überspannungssperre, thermische Abschaltung und Ausgangsüberlastungsschutz. Eine Über- und Unterspannungssperre am Ausgang sorgt dafür, dass Leistungsbauteile nicht durch ungültige Gate-Spannungen belastet werden können. Ein Power-Good-Signal wird zusammen mit einer ON/OFF-Steuerung bereitgestellt, um den Baustein mit weniger als 700µA Stromaufnahme in den Standby-Modus zu versetzen.
Neben der Programmierbarkeit bietet der R24C2T25 einen weiteren Fortschritt im Vergleich zu seinen Vorgängern: die Verwendung der Oberflächenmontagetechnologie (SMT) in Form eines kompakten 7,5 x 12,83 mm großen 36-poligen SSO-Gehäuses. Ein oberflächenmontiertes Gehäuse ist bei Entwicklern sehr begehrt, da es zahlreiche Vorteile gegenüber äquivalenten, durchkontaktierten Bauteilen bietet:
Zusätzliche Ressourcen
