3 Watt SMD Single- und Dual-Ausgang

Erfüllt die strengen Umweltanforderungen für erneuerbare Energie

RA3 DC/DC-Wandler

RECOMs 3W-SMD-DC/DC-Wandler der Serie RA3 mit einem und zwei Ausgängen für Si, SiC und GaN-Leistungstransistoren-Gate-Treiber

Die RA3-Serie von RECOM umfasst 3-Watt-DC/DC-Wandler, die speziell für die Versorgung von Transistor-Gate-Treibern konzipiert sind. Die Module sind mit Eingangsspannungen von 5, 12 oder 24 VDC mit ein- oder zweiseitigen asymmetrischen Ausgängen erhältlich und decken die neuesten Si-, SiC- und GaN-Transistoren auf dem Markt ab. Das kompakte SMD-Design sorgt dafür, dass der Platzbedarf auf der Leiterplatte minimal ist - insbesondere bei mehrlagigen Leiterplatten. Die Module bieten eine robuste 5,2kVDC/1min Isolierung und eine Isolationskapazität von weniger als 10pF. Der Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +85°C bei Volllast erfüllt die rauen Umweltanforderungen für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichter, Induktionsheizungen, Telekommunikation, EV-Batterieladegeräte und Motorantriebe.

Eigenschaften

  • 3W isolierter DC/DC-Wandler
  • Hohe Isolierung 5,2kVDC/1min
  • Großer Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C
  • Ideal für IGBT/Si/SiC/GaN-Gate-Antriebsleistung
  • IEC/EN/UL CSA 62368-1 zertifiziert
  • Weniger als 10pF Isolationskapazität
  • Kompaktes DIP16 SMD-Gehäuse
  • RECOM RA3 DC/DC-Wandler

    Teil Nummer
    Nominale Eingangsspannung (VDC)
    Ausgangsspannung 1/2 (VDC)
    Ausgangsstrom (mA)
    Wirkungsgrad typ.(1)
    (%)
    Max. Kapazitive Last(2)
    (μF)
    RA3-0508S/SMD
    5
    8
    375
    81
    470
    RA3-050701D/SMD
    5
    +7/-1
    +420/-100
    79
    200/680
    RA3-051503D/SMD
    5
    +15/-3
    +100/-500
    78
    150/680
    RA3-051505D/SMD
    5
    +15/-5
    +100/-300
    81
    47/680
    RA3-052005D/SMD
    5
    +20/-5
    +75/-300
    80
    47/680
    RA3-1208S/SMD
    12
    8
    375
    81
    470
    RA3-1209S/SMD
    12
    9
    334
    80
    470
    RA3-120701D/SMD
    12
    +7/-1
    +420/-100
    82
    200/680
    RA3-121503D/SMD
    12
    +15/-3
    +100/-500
    79
    150/680
    RA3-121505D/SMD
    12
    +15/-5
    +100/-300
    81
    47/680
    RA3-122005D/SMD
    12
    +20/-5
    +75/-300
    80
    47/680
    RA3-2408S/SMD
    24
    8
    375
    82
    470
    RA3-240701D/SMD
    24
    +7/-1
    +420/-100
    80
    200/680
    RA3-241503D/SMD
    24
    +15/-3
    +100/-500
    80
    150/680
    RA3-241505D/SMD
    24
    +15/-5
    +100/-300
    81
    47/680
    RA3-242005D/SMD
    24
    +20/-5
    +75/-300
    81
    47/680

    Hinweis 1: Der Wirkungsgrad wird bei Nenneingang und Volllast bei +25°C Umgebungstemperatur geprüft.

    Anmerkung 2: Max Cap Load wird bei Nenneingang und konstanter Widerstandslast getestet - R, Band & Rolle erhältlich, 200 Stück MOQ

    Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

    Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

    Über unser Expertenteam

    Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.