- Mfg-Teilnummer: C3M0032120D
Wolfspeed baut seine Führungsposition in der SiC-Technologie aus und stellt die branchenweit zuverlässigste und leistungsstärkste 1200-V-Familie von Leistungs-MOSFETs vor. Basierend auf der planaren MOSFET-Technologie der 3. Generation enthält das Produkt eine robuste intrinsische Body-Diode, die den Betrieb im 3. Quadranten ohne zusätzliche externe Diode ermöglicht. Die neue Familie bietet den niedrigsten Rds(on) bei 1200 V in einem diskreten Gehäuse mit einem flachen Rds(on) über die Temperatur. Wolfspeed hat die MOSFETs der 3. Generation mit einem erhöhten CGS/CGD-Verhältnis für eine bessere Hard-Switching-Leistung entwickelt. Auch Soft-Switching-Anwendungen können von dem lineareren COSS-Verhalten profitieren. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten Drei-Ebenen-Topologien zu einfacheren Zwei-Ebenen-Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich werden.
- Eigenschaften
- Bewährter und zuverlässiger planarer MOSFET der 3. Generation mit robuster, intrinsischer Body-Diode (keine externe Diode erforderlich)
- Mindestens 1200V Vbr über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40C - 175C]
- Einfach zu implementieren - MOSFET voll eingeschaltet bei +15 V Gate-Ansteuerung
- Schnelles Schalten mit geringer Ausgangskapazität
- Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS(on)
- Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
- Leicht zu parallelisieren und einfach zu fahren
- Anwendungen
- Solarenergie-Systeme
- EV-Charging
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
- SMPS
- Motorsteuerung und Antriebe
- Energiespeicherung
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