Wolfspeed - C6D08065Q-TR

6. Generation 650 V, 8 A Siliziumkarbid-Schottky-Diode
RFPD
SiC auf Lager: Wolfspeed 650 V, 8 A im 8×8 QFN-Gehäuse

SiC auf Lager: Wolfspeed 650 V, 8 A im 8×8 QFN-Gehäuse

  • Mfg-Teilnummer: C6D08065Q-TR
Die 650-V-Schottky-Dioden-Technologie von Wolfspeed aus Siliziumkarbid (SiC) ist für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik optimiert, darunter Server-Netzteile, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, Solar(PV)-Wechselrichter und Unterhaltungselektronik.
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  • Eigenschaften
  • Blockierspannung: 650 V
  • Stromstärke: 8 A
  • Durchlassspannung: 1,27 V
  • Maximaler Dauerstrom (IF): 8 A
  • Kapazitive Gesamtladung (QC (typ)): 29 nC
  • Gesamtverlustleistung (PTOT): 92 W
  • Gehäuse: QFN
  • Qualifizierung: Industrie
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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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