- Mfg-Teilnummer: C3M0015065K
Die branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstände und Schaltverluste für maximale Effizienz und Leistungsdichte
Wolfspeed baut seine führende Rolle in der SiC-Technologie mit der Einführung von 650V-MOSFETs der 3. Generation aus, die eine kleinere, leichtere und hocheffiziente Leistungswandlung in einer noch größeren Bandbreite von Stromversorgungssystemen ermöglichen. Die 650V-MOSFET-Produktfamilie eignet sich ideal für Anwendungen wie Hochleistungs-Industriestromversorgungen, Server-/Telekommunikationsstromversorgung, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Batteriemanagementsysteme.
- Eigenschaften
- Blockierspannung: 650 V
- RDS(ON) bei 25° C: 15 mΩ
- Generation: Generation 3
- Aktuelle Bewertung: 91 A
- Gate-Ladung insgesamt: 188 nC
- Ausgangskapazität: 289 pF
- Gesamtverlustleistung (PTOT): 416 W
- Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C
- Verpackung: TO-247-4
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