- Hersteller-Teilenummer: CAS120M12BM2
- Eigenschaften
- Industriestandard 62mm Grundfläche
- Ultra-niedriger Verlust, Hochfrequenzbetrieb
- Null-Rückwärts-Rückgewinnung von Dioden
- Null-Abschalt-Schwanzstrom vom MOSFET
- Normal-off, Fail-safe Gerätebetrieb
- Grundplatte aus Kupfer und Isolator aus Aluminiumnitrid
- Vorteile
- Schnelle Markteinführung mit minimalem Entwicklungsaufwand für den Übergang von 62 mm IGBT-Gehäusen
- Erhöhter Systemwirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste von SiC
- Anwendungen
- Eisenbahn & Traktion
- Solarenergie und erneuerbare Energien
- EV-Laden
- Industrielle Automatisierung und Prüfung
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