Entwicklungstools zur Beschleunigung Ihrer Markteinführungszeit

Arbeiten Sie mit dem globalen FAE-Team von Richardson RFPD zusammen, um die Konfiguration mit SiC-Modulen von vielen der führenden Namen der Branche zusätzlich zu Microchip zu unterstützen.
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Siliziumkarbid (SiC) Gate-Treiber Entwicklungskits

Siliziumkarbid (SiC) Gate-Treiber Entwicklungskits

Die beschleunigten Siliziumkarbid (SiC)-Entwicklungskits von Microchip enthalten die erforderlichen Hardware- und Software-Elemente zur Optimierung der Leistung von SiC-Modulen und -Systemen. Die ASDAK-Entwicklungskits von Microchip geben Ihnen die Freiheit, viele kompatible SiC-Module und die Familie der SP6LI SiC-Module mit niedriger Induktivität zu verwenden, die in allen ASDAK+-Kits enthalten sind.

Eigenschaften

  • Kompatibel mit 1200V und 1700V SiC-Leistungsmodulen
  • Intelligentes Konfigurationstool (ICT) enthalten
  • Die Kits sind sowohl mit als auch ohne Leistungsmodule erhältlich

    • ASDAK-MSCSM & ASDAK-2ASC Bausätze

    Die ASDAK-MSCSM-Kits enthalten:

  • Ein SiC-Leistungsmodul
  • Ein Kern der Serie 2ASC
  • Eine SP6CA1-Moduladapterkarte (MAB)
  • Ein Programmier-Kit (ASBK)

    • ASDAK-2ASC Kits enthalten:

  • Drei Kerne der Serie 2ASC
  • Eine Moduladapterkarte (MAB)
  • Ein Programmier-Kit (ASBK)

    • Fragen Sie einen Ingenieur
    Entwicklungs-Kit
    Treiber Kern
    Modul-Adapterkarte
    Kernspannung (V)
    Modulspannung (V)
    SiC-Module
    ASDAK-MSCSM120AM02CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    1200
    MSCSM120AM02CT6LIAG
    ASDAK-MSCSM120AM03CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    1200
    MSCSM120AM03CT6LIAG
    ASDAK-MSCSM120AM042CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    1200
    MSCSM120AM042CT6LIAG
    ASDAK-MSCSM70AM025CT6LIAG-01
    1 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    700
    MSCSM70AM025CT6LIAG
    ASDAK-2ASC-12A1HP-62
    3 × 2ASC-12A1HP
    1 × 62CA1
    1200
    Bis zu 1200
    ASDAK-2ASC-17A1HP-62
    3 × 2ASC-17A1HP
    1 × 62CA4
    1700
    bis zu 1700
    ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
    3 × 2ASC-12A1HP
    1 × SP6CA1
    1200
    Bis zu 1200

    SiC- und IGBT-Gate-Treibermodule

    SiC-Gate-Treiberkerne und Moduladapterplatinen

    • Software-konfigurierbare ±Vgs Gate-Spannungen
    • Patentierte Augmented Switching Technologie
    • Robuster Kurzschlussschutz
    • Hohe Immunität gegen Rauschen
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    SiC-Plug-and-Play-Gate-Treiber

    • Kompatibel mit 62 mm SiC-MOSFET-Modulen
    • Software konfigurierbar, um die Anforderungen Ihrer Anwendung zu erfüllen
    • Temperatur- und isolierte Hochspannungsüberwachung
    • Komponenten in Automobilqualität
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    IGBT-Gate-Treiber

    • Mehrstufige Abschaltzeit und Spannungspegel
    • Entsättigungszeit und Spannungspegel
    • Gate-Treiberspannung +15V/-10V
    • Gate-Spitzenstrom ±30A
    • IGBTs bis zu 3,3 kV
    • Einkanalig, 7 W Ausgangsleistung
    Mehr erfahren

    Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

    Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

    Fragen Sie einen Experten

    Über unser Expertenteam

    Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
     
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