Wolfspeed MOSFETs: Muster verfügbar

Von Wolfspeed
RFPD
Wolfspeed MOSFETs und Dioden

Wolfspeed MOSFETs und Dioden

Die Nachfrage nach MOSFETs und Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) steigt rapide an, vor allem in der Automobilbranche, in der Industrie und im Energiesektor, da sie einen besseren Wirkungsgrad, eine höhere Leistungsdichte und niedrigere Systemkosten bieten.

Sehen Sie sich unsere Liste der Wolfspeed-Produkte an, die zur Bemusterung zur Verfügung stehen. Klicken Sie sich durch unser kurzes Formular, um Ihre Projektdetails anzugeben. Wir werden uns dann mit Ihnen in Verbindung setzen, um die gewünschte Unterstützung zu koordinieren.

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Wolfspeed SiC-MOSFETs

TO-247-3-Gehäuse

Teil Nummer
Blockierspannung
RDS(ein)
(ID) @ 25°C 
Paket
Proben
C3M0075120D
1200 V
75 mΩ
30 A
TO-247-3
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C3M0120090D
900 V
120 mΩ
23 A
TO-247-3
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TO-263-7-Gehäuse

Teil Nummer
Blockierspannung
RDS(ein)
(ID) @ 25°C 
Paket
Proben
C3M0060065J
600 V
60 mΩ
36 A
TO-263-7
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C3M0120100J
1000 V
120 mΩ
22 A
TO-263-7
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Wolfspeed SiC-Dioden der 6. Generation

TO-220-2-Gehäuse

Teil Nummer
Blockierspannung
(ID) @ 25°C 
Paket
Proben
C6D04065A
650 V
4 A
TO-220-2
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C6D06065A
650 V
6 A
TO-220-2
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C6D08065A
650 V
8 A
TO-220-2
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C6D10065A
650 V
10 A
TO-220-2
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C4D05120A
1200 V
5 A
TO-220-2
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C4D20120A
1200 V
20 A
TO-220-2
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TO-263-2-Gehäuse

Teil Nummer
Blockierspannung
(ID) @ 25°C 
Paket
Proben
C6D04065E
650 V
4 A
TO-263-2
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C6D06065E
650 V
6 A
TO-263-2
Muster anfordern
C6D08065E
650 V
8 A
10 A
Muster anfordern
C6D10065E
650 V
10 A
TO-263-2
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E4D20120G
(AEC-Q101-qualifiziert)
1200 V
20 A
TO-263-2
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TO-247-3-Gehäuse

Teil Nummer
Blockierspannung
(ID) @ 25°C 
Paket
Proben
C6D16065D
650 V
16 A
TO-247-3
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6D20065D
650 V
20 A
TO-247-3
Muster anfordern
C4D20120D
1200 V
32 A
TO-247-3
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Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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