Siliziumkarbid (SiC) und seine inhärenten Vorteile gegenüber dem traditionellen Silizium als Werkstoff sind für Hersteller und Anwender von Halbleiter-Leistungsschaltern und Gate-Treibern von großer Bedeutung. Dies wurde noch deutlicher angesichts der ständig steigenden Nachfrage in der Leistungselektronik nach höherer Effizienz, geringerer Größe und geringerem Gewicht sowie anderen Anforderungen.
Halbleiter mit breiter Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) bieten extrem niedrige Schaltverluste für eine höhere Systemeffizienz, eine hohe Leistungsdichte, die zu einer Verringerung von Größe und Gewicht führt, und eine im Vergleich zu Silizium bessere Wärmeleitfähigkeit. Dies führt zu geringeren Anforderungen an Kühlkörper und ermöglicht eine kompaktere und leichtere Bauweise. Darüber hinaus erhöht die Fähigkeit, bei hohen Temperaturen zu arbeiten, die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems, was sie zu einer überzeugenden Option für Anwendungen macht, die eine höhere Leistungsdichte erfordern.
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