Entwerfen mit oberseitengekühlten (TSC) Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen

Entwerfen mit oberseitengekühlten (TSC) Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen

September 26, 2025

Siliziumkarbid

Konstrukteure von Hochspannungssystemen wenden sich wegen des intrinsischen Temperatur- und Schaltverhaltens in einer wachsenden Zahl von Leistungselektronikanwendungen an Siliziumkarbid. Ingenieure sehen sich oft mit vielschichtigen Anforderungen an das Systemdesign konfrontiert, einschließlich der Notwendigkeit von Gehäusen mit mehreren Quellen, die in der Lage sind, enge Leistungsdichtevorgaben mit begrenzten Möglichkeiten zur Wärmeableitung zu erfüllen.

Wolfspeed erweitert nun die Optionen für das Systemdesign, indem es ein bekanntes, von der Oberseite gekühltes Gehäuse sowohl für den Automobil- als auch für den Industriemarkt auf den Markt bringt. Als Drop-in-Ersatz für MOSFETs anderer Hersteller ermöglicht das U2-Gehäuse Flexibilität bei der Beschaffung für etablierte Designs mit verbesserter Kriechstrecke, um Designs von 650 V bis 1200 V zu unterstützen.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.