Da Siliziumkarbid als Technologie ausgereift ist und in zahllosen Leistungsumwandlungsdesigns eingesetzt wird, stellen sich immer noch Fragen zur Maximierung der Leistung. Dieses Whitepaper bietet Antworten auf häufige Fragen im Zusammenhang mit SiC-Design-Überlegungen, wie z. B.:
- Warum bietet SiC einen so großen Mehrwert für Systeme?
- Ist SiC genauso zuverlässig wie Silizium? Werden sie auf die gleiche Weise getestet?
- Wie kann ich das Design für Thermik, EMI und Kurzschlussschutz robust machen?
- Wie wähle ich Gate-Treiber für eine optimale Leistungsumwandlung und -steuerung aus?
- Warum ist die Schaltfrequenz in Ihrem Totempfahl-Referenzdesign auf 65 kHz begrenzt, obwohl SiC im Vergleich zu Si verwendet wird?
- Wie optimiere ich das System im Hinblick auf einen besseren Wirkungsgrad, maximale Leistungsdichte und niedrigste Systemkosten?
- Wie wähle ich den richtigen SiC-MOSFET aus? Sind die Datenblätter/Parameter und Modelle die gleichen wie bei Silizium?
- Bei welcher Höchsttemperatur kann ich einen SiC-MOSFET betreiben, ohne dass die Zuverlässigkeit leidet?
- Wie kann ich Leitungsverluste über die Temperatur berechnen?
- Wie kann ich die Schaltfrequenz optimieren?
Dieser Beitrag befasst sich mit der aktuellen SiC-Landschaft und ihren Vorteilen, dem Design mit Verlusten, der Schaltfrequenz, den Auswirkungen und Überlegungen zu Induktivitäten, Gate-Ansteuerung, Rauschen und Anwendungen, die durch SiC ermöglicht werden.
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