Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC), die aufgrund des Wide-Bandgap-Materials (WBG) Hochspannungsvorgänge bei geringen Schaltverlusten ermöglichen, beginnen ihre beschleunigte Entwicklung und Einführung in Anwendungen der Automobilindustrie, der Industrie, der Luft- und Raumfahrt und der Verteidigung. Diese SiC-Produkte versprechen, die Leistungsdichte und die Systemeffizienz zu verbessern und damit Größe, Kosten und Gewicht des Designs zu sparen.
Das SiC-Halbleitermaterial kann die Wärme schnell aus dem Chip ableiten, und das ist ein Segen für die Leistungselektronik, denn es ermöglicht den Wechsel von der aktiven zur passiven Kühlung. Entwickler von Leistungssystemen können Flüssigkeitskühlsysteme ersetzen, da die Wärmeleitfähigkeit von SiC viel besser ist. Auch die Kapazität ist viel geringer, ebenso wie die Schaltverluste.
Das treibt die Einführung von SiC-Komponenten in Elektrofahrzeugen und anderen Hochleistungsschaltanwendungen voran, um die Leistungsdichte zu erhöhen, die Systemeffizienz zu maximieren und die Stabilität bei hohen Temperaturen zu gewährleisten. Es wird erwartet, dass die EVs in den nächsten drei bis fünf Jahren von 400-V- auf 800-V-Batteriesysteme umsteigen werden...
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