由于采用宽带隙(WBG)材料,碳化硅(SiC)器件能够以较低的开关损耗实现高压操作,因此开始在汽车、工业、航空航天和国防应用领域加速发展和应用。这些碳化硅产品有望提高功率密度和系统效率,从而减小设计的尺寸、成本和重量。
碳化硅半导体材料能迅速将热量排出芯片,这对电力电子产品来说是一大福音,因为它能让电源设计从主动冷却转向被动冷却。电源系统设计人员可以取代液体冷却系统,因为 SiC 的导热性能更好。同样,电容更低,开关损耗也更低。
这推动了碳化硅元件在电动汽车(EV)和其他大功率开关应用中的应用,以提高功率密度、最大限度地提高系统效率并确保高温稳定性。预计在未来三到五年内,电动汽车的电池系统将从 400 伏增至 800 伏...


