The MACOMKV CAPS™ Si 电容器采用新颖的内部结构和高质量的介电层，具有极低的损耗和出色的稳定性。这些电容器均为无封装芯片。芯片的两个端子上都有金键合表面，以实现出色的键合和最小的接触电阻。
新颖的结构： MACOM KV 电容器
MACOMKV CAPS™ 硅电容器是一种高密度、高工作电压的硅电容器，它采用了一种新颖的拓扑结构，可将电容器的平行板折叠成三维结构，与简单的平行板电容器相比，每单位芯片面积可产生更大的电容。这项技术采用了高可靠性材料和晶圆加工工艺，几十年来一直是半导体行业的主要技术。
较高的表面积意味着较高的密度，从而在一定尺寸下产生更大的电容。
MACOM 的 KV CAPS™ 具有硅基电容器的最高额定工作电压。工作电压为 50 VDC 的 KV 电容器非常适合用于直流阻断、交流旁路和谐振电路应用中要求苛刻的芯片和导线电路。
KV CAPS™ 创新的关键是什么？
MACOMKV CAPS™ 利用硅芯片顶面的沟槽。硅衬底具有极低的电阻率，可用作结构的底板。薄膜电介质材料沉积在整个基板顶面，形成电容器的中间绝缘层。电介质层的顶面涂有导电材料，形成电容器结构的顶板。由于沟槽的底部、顶部和侧壁的面积都构成了平行板电容器结构的有效面积，因此这种几何形状有效地增加了平行板的公共面积。
50V、200V 和 500V 系列电容器均为无封装芯片，专为片线混合电路应用而优化。顶部和背面触点的最外层均为金。
50 V macom kv caps™： Si 高 Q 值电容器
新颖的 MACOMKV™ 具有许多性能优势。这些器件基本上是在高导电硅基板上形成的平行板电容器。
部件编号 | 电容值 (pF) | 电容公差 (%) | 直流工作电压 WVDC (V) | 芯片尺寸（毫米） | | MKVC-050100-14530G | 47 | 10 | 50 | 0.35 x 0.35 x 0.254 |
|---|---|---|---|---|---|
| MKVC-0547R0-14530G | 100 | 10 | 50 | 0.35 x 0.35 x 0.254 |
功能与优点
- 单位面积电容高，同时支持大工作电压。
- 出色的长期电容稳定性
- 高质量因素
- 电容随温度的变化非常小。
- 非磁性材料/结构
- 与行业标准的芯片和导线结构兼容。
- 背面金属化模具触点。
- 顶部金属适用于导线/带状粘接。
高稳定性 耐高温
50 V macom kv caps™： 应用信息
推荐的模具安装方法
未包装芯片可使用焊料或导电环氧树脂连接到电路介质上。
土地垫层设计
在设计用于导电环氧贴片的焊盘时，建议焊盘的尺寸要比芯片四边都大 0.004 英寸（0.100 毫米），以保证适当的滤波。对于 80/20 AuSn 共晶焊料贴装，建议使用较厚的镀金层，以便正确形成金属间化合物。典型范围为 50 - 100 微英寸。设计焊盘时，请参考数据表中推荐的焊盘。
焊模连接
可使用共晶焊料（如 Au(80)/Sn(20)）、含铅焊料（如 Sn63Pb37）或多种 RoHS 兼容焊料（如 Sn96.53Ag0.5Cu (SAC305)）等完成焊模连接。对于含铅或 RoHS 焊膏，建议使用免清洗焊膏，以防止出现无法按照 IPC-7093 的建议进行清洗的助焊剂残留。
导电环氧树脂模头
可使用共晶焊料（如 Au(80)/Sn(20)）、含铅焊料（如 Sn63Pb37）或多种 RoHS 兼容焊料（如 Sn96.53Ag0.5Cu (SAC305)）等完成焊模连接。对于含铅或 RoHS 焊膏，建议使用免清洗焊膏，以防止出现无法按照 IPC-7093 的建议进行清洗的助焊剂残留。
金（80）/硒（20）共晶焊料连接件
80/20 AuSn 焊料通常作为预型件供应。建议的预型件尺寸为每一边缘少 0.005 英寸（0.125 毫米）。典型的预型件厚度为 0.001 英寸（0.025 毫米）。对于 Au(80)/Sn(20) 共晶焊料裸片连接，MACOM 推荐使用下图所示的焊料温度曲线。焊料通常使用热量和成型气体流动。 重要的是，在贴片过程中不得超过以下最大条件： > 最高焊接温度：350°C > 最大峰值温度持续时间：5 s
导线/碳带键合
虽然 MACOM 的 KV™ 结构非常坚固，但建议在靠近顶部触点中心的位置连接导线或色带，以防止对芯片造成机械损伤（如微裂纹），从而降低芯片的工作电压能力。可以使用热压或超声波粘合。对于大多数电容值而言，KV™ 电容器的顶部触点足够大，可容纳多根导线或带状线的连接。电容器的顶部触点镀有一层金。在导线或色带键合之前，可能需要进行等离子清洗，以去除可能影响键合界面质量的任何有机污染物。所使用的参数可能会有所不同，这取决于所使用的焊线工艺和焊线/焊带类型。可使用的常见合金包括铜钯金和金丝。
