Analoge Geräte
In diesem Tech-Chat wird die Commode Mode Transient Immunity im Zusammenhang mit Gate-Treibern erläutert sowie die minimale Gate-Treiber-CMTI, die für Wandler erforderlich ist, die mit Galliumnitrid- (GaN) oder Siliziumkarbid- (SiC) Leistungshalbleitern integriert sind.
Kombinieren Sie isolierte Gate-Treiber von ADI mit Wolfspeed-Siliziumkarbid-MOSFETS und Schottky-Dioden, unterstützt durch Prüfberichte.
Der ADPA7006CHIP ist ein verteilter GaAs-pHEMT-MMIC-Leistungsverstärker, der von 18 GHz bis 44 GHz arbeitet.
Der ADCA3992 ist ein hybrider Verstärker mit hoher Verstärkung und Leistungsverdopplung, der für einen breiten Bereich von Vorspannungsbedingungen optimiert ist, um eine hohe Leistungseffizienz und Kundenflexibilität zu gewährleisten.
Dieser Artikel beschreibt die Entwicklung zum Remote-PHY und wie Analog Devices die Herausforderung der Effizienz und Linearität mit Hilfe eines proprietären DPD gelöst hat, wobei die Algorithmen und der IP-Kern von ADI in die bestehende FPGA-Implementierung des OEMs integriert wurden.
Der ADRV9026, ADIs Breitband-HF-Transceiver der 4. Generation, bietet Vierkanal-Integration mit dem geringsten Stromverbrauch, der kleinsten Größe und einer gemeinsamen Plattformlösung, die das Design vereinfacht und die Systemleistung reduziert.
Die Webinarreihe "Walk Around the Block" befasst sich mit Designherausforderungen und Trendthemen im Zusammenhang mit Leistungselektronikanwendungen. In dieser Reihe konzentrieren wir uns auf das Schnellladen von Elektrofahrzeugen und beleuchten eine Vielzahl von Themen unserer Anbieter.
Der ADMV4530 von Analog Devices ist ein hochintegrierter Aufwärtswandler mit einem I/Q-Mischer, der sich ideal für die Ka-Band-Satellitenkommunikation der nächsten Generation eignet.
Der ADRV9009-ZU11EG von Analog Devices ist ein hochintegriertes und anpassbares RF-SOM, das auf zwei synchronisierten ADRV9009s und Xilinx Zynq UltraScale+ MPSoC basiert.
Dieser Tech-Chat befasst sich mit den unterschiedlichen Gate-Drive-Levels, die für eine optimale Leistung von Silizium- (Si), Galliumnitrid- (GaN) und Siliziumkarbid- (SiC) Technologien erforderlich sind.
