Der MSC035SMA170S ist ein 1700 V, 35 mΩ SiC-MOSFET in einem TO-268 (D3PAK)-Gehäuse.

Der ATSAMR34J18 ist ein Ultra-Low-Power-Mikrocontroller kombiniert mit einer UHF-Transceiver-Kommunikationsschnittstelle.

In diesem Tech-Chat erörtern wir die Schwellenspannung eines SiC-MOSFETs und ihre Bedeutung für den Schaltverlust und die Immunität gegenüber Rauschen und Spannungsspitzen.

Die ATWINC1500-XPRO Erweiterungsplatine ermöglicht die Evaluierung des kostengünstigen, stromsparenden 802.11 b/g/n Wi-Fi Netzwerk-Controller-Moduls ATWINC1500.

Was ist eine Lawine und warum tritt sie auf? Wie wirkt sie sich auf die Zuverlässigkeit eines Geräts aus?

Der MMA042AA ist ein GaAs-MMIC-pHEMT-Verstärkerchip, der zwischen 2 GHz und 26 GHz arbeitet.

Die SiC-MOSFETs der nächsten Generation bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Si-MOSFETs und IGBTs.

Der MMA053AA von Microchip ist ein Galliumarsenid (GaAs) monolithisch integrierter Mikrowellenschaltkreis (MMIC) pHEMT-Verstärkerchip, der zwischen DC und 8 GHz arbeitet.

Konstrukteure sind endlich in der Lage, die Vorteile der SiC-Technologie auf Systemebene zu nutzen, um die Größe, die Geräuschentwicklung und die Feldausfälle von Hilfsturbinen (APUs) in Transportfahrzeugen zu reduzieren.

Microchip Technology hat in Zusammenarbeit mit dem Konsortiumsmitglied Clean Sky der Europäischen Kommission eine Familie von Leistungsmodulen auf SiC-Basis für Luft- und Raumfahrtanwendungen entwickelt, die effizientere und kompaktere Energieumwandlungs- und Triebwerksantriebssysteme ermöglichen sollen.