Microchip SiC-Leistungsmodule

Für elektrische Systeme in Flugzeugen

Um die Emissionen in der Luft- und Raumfahrt zu reduzieren, setzen die Konstrukteure zunehmend auf effizientere Elektronik in Steuersystemen, einschließlich solcher, die Pneumatik und Hydraulik ersetzen - von Bordgeneratoren bis hin zu Aktuatoren und Hilfsaggregaten.

Microchip Technology hat in Zusammenarbeit mit dem Konsortiumsmitglied Clean Sky der Europäischen Kommission eine Familie von SiC-basierten Leistungsmodulen für Luft- und Raumfahrtanwendungen entwickelt, die effizientere und kompaktere Energieumwandlungs- und Motorantriebssysteme ermöglichen sollen. Die Module mit den Bezeichnungen BL1, BL2 und BL3 verwenden eine Mischung aus 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) und 1600-V-Dioden auf einem modifizierten Substrat, das für raue Luftfahrtanwendungen ausgelegt ist.

Mikrochip Ausgewählte Produkte

Teil Nummer
Konfiguration
Spannung (V)
Rds(on) (mΩ)
Stromstärke (A)
Silizium-Typ
Paket
MSCSM120AM31CTBL1NG
Phase Bein
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL1
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Boost-Chopper
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL1
MSCSM120SKM31CTBL1NG
Buck Chopper
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL1
MSCSM120DUM31CTBL1NG
Doppelte gemeinsame Quelle
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL1
MSCSM120HM31CTBL2NG
Vollständige Brücke
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL2
MSCSM120DHM31CTBL2NG
Asymmetrische Brücke
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL2
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Doppelte gemeinsame Quelle
1200
25
79
SiC-MOSFET
BL2
MSCSM120HM16CTBL3NG
Vollständige Brücke
1200
12.5
150
SiC-MOSFET
BL3
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Doppelte gemeinsame Quelle
1200
12.5
150
SiC-MOSFET
BL3
MSCGLQ50A120CTBL1NG
Phase Bein
1200
2.05
110
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL1
MSCGLQ50DU120CTBL1NG
Doppelte gemeinsame Quelle
1200
2.05
110
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL1
MSCGLQ50H120CTBL2NG
Vollständige Brücke
1200
2.05
110
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL2
MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Asymmetrische Brücke
1200
2.05
110
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL2
MSCGLQ50DDU120CTBL2NG
Doppelte gemeinsame Quelle
1200
2.05
110
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL2
MSCGLQ75H120CTBL3NG
Vollständige Brücke
1200
2.05
160
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL3
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
Doppelte gemeinsame Quelle
1200
2.05
160
GRABEN 4 SCHNELL IGBT
BL3
MSCDR90A160BL1NG
Phase Bein
1600
1.3
90
Gleichrichterdiode
BL1

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.