El amplificador basado en GaN proporciona más de 50 W de potencia a 4,4-5,0 GHz

Transistor GaN de 300 W de onda continua diseñado para aplicaciones ISM a 2450 MHz

Permite a los usuarios evaluar fácilmente el GaN en un diseño ultrapequeño para obtener una solución muy rentable.

Completa biblioteca de diseños RF PA para infraestructuras de comunicación 5G, aplicaciones industriales inteligentes y otros mercados de rápido crecimiento.

Apoyo internacional a las comunidades de la red mundial Connectory en el ámbito del Internet de las cosas

La cartera de módulos multichip de potencia de RF admite sistemas de antena activa MIMO masiva para 5G estaciones base

El acuerdo incluye módulos HPA y LNA COTS

mangOH Amarillo con Módulo WP7702 Cat-M1/NB-IoT soldado más tarjeta SIM ya disponible en stock

Dispositivo de uso general adecuado para pruebas y mediciones, comunicaciones de defensa, radio móvil terrestre y aplicaciones de infraestructura inalámbrica.

MOSFET planares de tercera generación probados y fiables con diodo de cuerpo intrínseco resistente