11 de febrero de 2020 - Ginebra, III.:

Richardson RFPD, Inc. una empresa de Arrow Electronics, ha anunciado hoy la disponibilidad y las capacidades completas de soporte de diseño para un nuevo transistor GaN de potencia de RF de NXP Semiconductors.

El MRF24G300HS es un transistor GaN de 300 W de onda continua diseñado para aplicaciones industriales, científicas y médicas (ISM) a 2450 MHz. Ofrece una eficiencia de drenaje del 73 por ciento a 2450 MHz, y la alta densidad de potencia del GaN permite al dispositivo alcanzar una alta potencia de salida en un espacio reducido.

El dispositivo es adecuado para su uso en aplicaciones de onda continua, pulsos, cíclicas y lineales, incluyendo calentamiento industrial, soldadura y sellado térmico, generación de plasma, iluminación, instrumentación científica, ablación por microondas y diatermia. Este dispositivo de alta ganancia y alto rendimiento es fácil de usar y proporciona una larga vida útil incluso en los entornos más exigentes. Otras características clave son:

• El dispositivo se puede utilizar en configuración monopolar o contrafase
• Entrada adaptada para simplificar los circuitos de entrada
• Calificado hasta 55 V
• Disponible en paquete NI-780S-4L

También hay disponible un banco de pruebas.

Para obtener más información o adquirir estos productos hoy mismo en línea, visite las páginas web de MRF24G300HS y MRF24G300HS-2450. Los productos también están disponibles llamando al 1-800-737-6937 (dentro de Norteamérica); o busque un ingeniero de ventas local (en todo el mundo) en Local Sales Support. Para obtener más información sobre otros productos de NXP, visite la página web de la tienda de NXP.