Módulos de alimentación SiC de Microchip

Para sistemas eléctricos de aeronaves
Módulos de alimentación SiC de Microchip

Módulos de alimentación SiC de Microchip

En la carrera por reducir las emisiones de los sistemas aeroespaciales, los diseñadores apuestan cada vez más por una electrónica más eficiente en los sistemas de control, incluidos los que sustituyen a la neumática y la hidráulica, desde los alternadores de a bordo hasta los actuadores y las unidades de potencia auxiliares.

Microchip Technology, en colaboración con Clean Sky, miembro del consorcio de la Comisión Europea, ha desarrollado una familia de módulos de potencia basados en SiC para aplicaciones aeroespaciales destinados a permitir una conversión de potencia y unos sistemas de accionamiento de motores más eficientes y compactos. Los módulos, denominados BL1, BL2 y BL3, utilizan una mezcla de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y diodos de 1600 V en un sustrato modificado diseñado para aplicaciones aeronáuticas exigentes.

Microchip Productos destacados

Número de pieza
Configuración
Tensión (V)
Rds(on) (mΩ)
Corriente (A)
Tipo de silicio
Paquete
MSCSM120AM31CTBL1NG
Fase
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL1
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Boost chopper
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL1
MSCSM120SKM31CTBL1NG
Buck chopper
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL1
MSCSM120DUM31CTBL1NG
Doble fuente común
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL1
MSCSM120HM31CTBL2NG
Puente completo
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL2
MSCSM120DHM31CTBL2NG
Puente asimétrico
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL2
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Doble fuente común
1200
25
79
MOSFET de SiC
BL2
MSCSM120HM16CTBL3NG
Puente completo
1200
12.5
150
MOSFET de SiC
BL3
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Doble fuente común
1200
12.5
150
MOSFET de SiC
BL3
MSCGLQ50A120CTBL1NG
Fase
1200
2.05
110
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL1
MSCGLQ50DU120CTBL1NG
Doble fuente común
1200
2.05
110
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL1
MSCGLQ50H120CTBL2NG
Puente completo
1200
2.05
110
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL2
MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Puente asimétrico
1200
2.05
110
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL2
MSCGLQ50DDU120CTBL2NG
Doble fuente común
1200
2.05
110
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL2
MSCGLQ75H120CTBL3NG
Puente completo
1200
2.05
160
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL3
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
Doble fuente común
1200
2.05
160
ZANJA 4 RÁPIDA IGBT
BL3
MSCDR90A160BL1NG
Fase
1600
1.3
90
Diodo rectificador
BL1

Apoyo al diseño de energía y potencia

Permítanos evaluar su proyecto y ayudarle a llevar su visión al mercado con mayor rapidez.

Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.